姓 名 | 赵俊 | 性 别 | 女 |
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出生年月 | 1981年12月 | 学历学位 | 理学博士 | |||
职 称 | 副教授 | 部 门 | 十大电子游戏网站大学物理教学中心 | |||
导师类别 | 硕导 | 指导专业 | 物理学、材料学 | |||
办公地点 | 仙林教2-316（2） | 办公电话 |
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电邮地址 | zhaojun@njupt.edu.cn | 个人主页 |
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主授课程 | 大学物理（本科员工）、计算物理（硕士研究生） | |||||
社会 兼职 | 担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett., Carbon, J. Phys. Chem. C等期刊通讯审稿人；中国化学学会会员； | |||||
研究 方向 | 1、 低维纳米材料电输运性能与光电响应机制的研究； 2、 低维材料拓扑绝缘体设计与谷电子学研究； 3、 低维纳米表界面的电催化性能模拟； | |||||
个人 简历 | 赵俊，南京大学物理化学专业博士毕业，长期从事低维纳米材料的理论设计与模拟工作，在Science, Adv. Funct. Mater., ACS Energy Lett., Appl. Phys. Lett., WIREs Comput. Mol. Sci., Nano Research, Small, Carbon, Nanoscale, ACS Appl. Mater. & Interfaces, J. Phys. Chem. C, Phys. Chem. Chem. Phys.等权威期刊上发表SCI检索论文50多篇。主持承担国家自然科学基金等项目8项。受邀担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett., Carbon, J. Phys. Chem. C等期刊的通讯审稿人。 | |||||
主要 成果 | 主持承担国家自然科学基金等科研项目8项; 第一或通讯作者在权威期刊上发表SCI论文50余篇； | |||||
研究 项目 | 1、2022.01～2025.12，国家自然科学基金-面上项目，主持，在研； 2、2019.01～2022.12，国家自然科学基金-面上项目，主持，在研； 3、2015.01～2017.12，国家自然科学基金-青年项目，主持，结题； 4、2014.01～2016.12，国家自然科学基金-合作研修，主持，结题； 5、2011.07～2014.07，湖北省教育厅科学研究项目，主持，结题； 5、2018.07～2021.07，十大电子游戏网站人才引进项目，主持，结题； 6、2019.01～2021.12，十大电子游戏网站国自基金孵化项目，主持，结题； | |||||
荣誉 奖励 | 湖北省第三层次人才；南京大学博士研究生国家奖学金；南京大学优秀毕业生；湖北省优秀学术论文一等奖； | |||||
论著 | [1] Jun Zhao*, Xuhu Jin, Hui Zeng*, Can Yao,Gan Yan. Spin-valley coupling and valley splitting in the MoSi2N4/CrCl3 van der Waals heterostructure. Appl. Phys. Lett.119: 213101 (2021) [2] Jun Zhao*, Hui Zeng*. Type-II AsP/As van der Waals Heterostructures: Tunable Anisotropic Electronic Structures and Optical Properties. Adv. Mater. Interfaces8: 2001555 (2021) [3] Xiaowen Yu, Jun Zhao*, Mats Johnsson*. Interfacial Engineering of Nickel Hydroxide on Cobalt Phosphide for Alkaline Water Electrocatalysis. Adv. Funct. Mater., 2101578 (2021) [4] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao. Computational design of a polymorph for 2D III–V orthorhombic monolayers by first principles calculations: excellent anisotropic, electronic and optical properties. Phys. Chem. Chem. Phys., 23: 3771 (2021) [5] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Di Wang, Ge Yao.First principles calculation of metal (Ni and Cu) contact on the electronic transport properties of 2D GeP semiconductor. Appl. Surf. Sci., 542: 148596 (2021) [6] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao, Di Wang.Electron transport properties of 2D IV-V semiconductors and their improvement by graphene contact. Appl. Surf. Sci., 519: 146203 (2020) [7] Xiaojuan Lian, Xinyi Shen, Miaocheng Zhang, Jianguang Xu, Fei Gao, Xiang Wan, Ertao Hu, Yufeng Guo,Jun Zhao*,Yi Tong*. Resistance switching characteristics and mechanisms of MXene/SiO2 structure-based memristor. Appl. Phys. Lett. 115, 063501 (2019) [8] Jun Zhao, Zheng-Hang Qi, Yong Xu, Jun Dai, Xiao Cheng Zeng, Wanlin Guo, Jing Ma*. Theoretical studies on tunable electronic structures and potential applications of two‐dimensional arsenene‐based materials. WIREs Comput Mol Sci, 9, e1387(2019) [9] Jun Zhao*, Hui Zeng, Xingfei Zhou. X3N (X=C and Si) Monolayers and Their van der Waals Heterostructures with Graphene and h-BN: Emerging Tunable Electronic Structures by Strain Engineering. Carbon 145:1-9 (2019) | |||||
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