钮伟

姓　　名

钮伟

性　　别

男

出生年月

19890501

学历学位

研究生学历，工学博士学位

职　　称

讲师

部　　门

十大电子游戏网站应用物理系

导师类别

硕导

指导专业

凝聚态物理

办公地点

教2-325

办公电话

电邮地址

weiniu@njupt.edu.cn

个人主页

主授课程

大学物理实验

社会

兼职

研究

方向

一直从事于功能薄膜材料、二维材料及异质结制备与输运、磁学特性表征以及新型原型器件方面的研究，拥有丰富的薄膜生长、器件制备和输运及多场调控等方面的研究经验。

个人

简历

南京大学       研究生   2013-09——2018-03

丹麦技术大学      博士联合培养      2016-10——2017-10

南京大学       访问学者       2013-09——2018-03

十大电子游戏网站      教师       2018-07——至今

主要

成果

申请人在高质量薄膜异质结制备及磁性、输运特性表征及外场调控方面取得了一系列重要成果。发表了31篇SCI论文，其中4篇以封面和卷首插页等亮点形式发表，获得国家专利两项。以第一作者身份发表10篇SCI论文，其中1篇Nano Letters，这一工作为未来多功能、低功耗、微型化和易集成等实际电子器件的新特征需求提供了发展方向；1篇Advances   Electronic Materials(这一工作以Frontispiece亮点论文的形式发表，并先后被Advanced Science News和Materials Views China作为亮点形式报道)，这一工作澄清了原本反铁磁LaMnO3 出现奇异铁磁性的来源，加深了人们对关联氧化物中氧过量这一问题的理解，有利于设计和制备基于关联氧化物的全氧化物自旋电子器件；3篇Applied   Physics Letters，1篇Nanoscale (这一工作以背封面亮点论文的形式发表,得到广泛的关注，如薛其坤院士等在展望未来无耗散材料体系的综述文章Appl.   Phys. Rev. 5, 041105 (2018) 强调了该工作技术手段的重要意义；英国国家物理实验室的Kazakova教授在J. Appl. Phys. 125, 060901 (2019) 综述上大段指名引述)1篇Scientific   Reports和1篇AIP Advances。还以共同第一作者身份发表2篇SCI论文。在APS March Meeting、Grodon Research Conference 、CPS等国内外学术会议上做报告，并受邀在英国、韩国等地短期访问交流。

研究

项目

1. 基于γ-Al2O3/SrTiO3界面二维电子气的高效自旋-电荷相互转换研究；国家自然科学基金青年项目；27万；项目起止年月：2020年01月至 2022年 12月；负责人

2. 基于复杂氧化物界面二维电子气的高效自旋-电荷转换研究；江苏省科技厅青年项目；20万；项目起止年月：2019年07月至 2022年06月；负责人

荣誉

奖励

获得2019年第一批省“双创计划”专项资金（博士聚留计划）。

获得2020年南京市留学人员择优资助

论著
代表作

[1]   W.   Niu, Y. W. Fang, X. Zhang, Y. Weng, Y. Chen, H. Zhang, Y. Gan, X. Yuan, S.   Zhang, J. Sun, Y. Wang, L. Wei, Y. Xu, X. Wang, W. Liu, and Y. Pu, Advanced   Electronic Materials 7, 2000803 (2021). (封面文章)

[2]   W.   Niu, X. Wang, Y. Xu, and R. Zhang, ACS Applied Electronic Materials 3, 128   (2021). (邀请文章)

[3]   W.   Niu, Y. Chen, Y. Gan, Y. Zhang, X. Zhang, X. Yuan, Z. Cao, W. Liu, Y. Xu, R.   Zhang, N. Pryds, Y. Chen, Y. Pu, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 115, 061601   (2019).

[4]   W.   Niu, W. Liu, M. Gu, Y. Chen, X. Zhang, M. Zhang, Y. Chen, J. Wang, J. Du, F.   Song, X. Pan, N. Pryds, X. Wang, P. Wang, Y. Xu, Y. Chen, and R. Zhang, Adv.   Electron. Mater. 4, 1800055 (2018). (插页文章)

[5]   W.   Niu, Y. Zhang, Y. Gan, D. V. Christensen, M. V. Soosten, E. J. Garcia-Suarez,   A. Riisager, X. Wang, Y. Xu, R. Zhang, N. Pryds, and Y. Chen, Nano Lett. 17,   6878 (2017).

联系地址

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邮政编码

210023